Поиск по базе сайта:
Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем Направление подготовки 011200 – \"Физика\" Основная идея программы «Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем» icon

Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем Направление подготовки 011200 – "Физика" Основная идея программы «Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем»




Скачати 35.23 Kb.
НазваКвантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем Направление подготовки 011200 – "Физика" Основная идея программы «Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем»
Дата конвертації16.09.2014
Розмір35.23 Kb.
ТипДокументи


Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем
Направление подготовки 011200 – "Физика"



Основная идея программы «Квантовая теория конденсированного состояния объемных и наноразмерных систем» состоит в объединении теоретических и экспериментальных исследований микроскопических и макроскопических свойств сложных современных наноструктурных материалов для нанотехнологий, электроники, спинтроники, химии и др. Одним из важных направлений этой программы является исследование фундаментальных свойств нового перспективного класса материалов – топологических изоляторов, которые могут быть использованы для создания топологических квантовых компьютеров и, в комбинации с ферромагнетиками, для развития нового типа устройств магнитной памяти, основанных на эффекте вращения спина, а также в сочетании со сверхпроводниками для создания нового типа сверхпроводящих материалов. Программа создана совместно ведущими учеными ТГУ, Международным центром по физике (Испания, Сан-Себастьян), Университетом Страны Басков (Испания), Институтом Макса Планка по микроструктурной физике (Германия).

При подготовке магистров используются:

- материальная база лаборатории наноструктурных поверхностей и покрытий ТГУ и учебно-научной лаборатории сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии ФФ;

- материальная база Томского регионального центра коллективного пользования (ckp@mail.tsu.ru), располагающегося в ТГУ;

- материальная база Института физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск),

- материальная база Университета Страны Басков (Испания, высокопроизводительный кластер на 4 Терафлоп);

- материальная база кафедры физики металлов ФФ ТГУ, обеспечивающая программные комплексы для расчетов электронной структуры материалов методом параллельных вычислений.

Для научно-исследовательской работы обучающиеся имеют доступ к ресурсам Центра обработки данных ТГУ, высокопроизводительному вычислительному кластеру ТГУ «Скиф Cyberia», высокопроизводительному кластеру Университета Страны Басков (Испания), высокопроизводительному вычислительному кластеру лаборатории наноструктурных поверхностей и покрытий.

^ УЧЕБНЫЙ ПЛАН
М.1 Общенаучный цикл

  Базовая часть

1.1 Философские вопросы естествознания

1.2 Специальный физический практикум «Высокопроизводительные вычисления в физике конденсированного состояния вещества»

1.3 Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации

1.4 Компьютерные технологии в науке и образовании

Вариативная часть

1.5 Экспериментальные методы исследования электронной структуры твердых тел

Курсы по выбору студента

1.6 Физика наноразмерных объектов

1.7 Релятивистские эффекты в твердых телах

1.8 Квантовая теория рассеяния

1.9 Теория явлений переноса в твердых телах

1.10 Введение в физику поверхности

М.2 Профессиональный цикл

  Базовая (общепрофессиональная) часть

2.1 Современные проблемы физики

2.2 История и методология физики

Вариативная часть

2.3 Основы квантовой теории твердого тела

2.4 Современные методы расчета электронной структуры

2.5 Основы квантовой теории многоэлектронных систем

Курсы по выбору студента

2.6 Колебания кристаллической решетки. Электрон-фононное взаимодействие

2.7 Квантовая теория магнетизма

2.8 Методы анализа поверхности

2.9 Физика магнитных наноструктур

2.10 Технологии параллельного программирования

2.11 Оптические свойства твердых тел

2.12 Физика тонких пленок

М.3 Практика и научно-исследовательская работа

3.1 Научно исследовательская практика

3.2 Педагогическая практика

3.3 Научно-исследовательская работа

М.4 Итоговая государственная аттестация

Трудоустройство выпускников обеспечивается взаимодействием с работодателями и стратегическими партнерами: Международный центр по физике (Испания, Сан-Себастьян), Университет Страны Басков (Испания), Институт Макса Планка по микроструктурной физике (Германия), Институт прочности и материаловедения СО РАН (Томск); Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск); Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (Москва), ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск).








Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації