Поиск по базе сайта:
Нанотехнологии в электронике Направление подготовки 011200 – \"Физика\" Основная идея программы «Нанотехнологии в электронике» icon

Нанотехнологии в электронике Направление подготовки 011200 – "Физика" Основная идея программы «Нанотехнологии в электронике»




Скачати 31.26 Kb.
НазваНанотехнологии в электронике Направление подготовки 011200 – "Физика" Основная идея программы «Нанотехнологии в электронике»
Дата конвертації16.09.2014
Розмір31.26 Kb.
ТипДокументи


Нанотехнологии в электронике
Направление подготовки 011200 – "Физика"




Основная идея программы «Нанотехнологии в электронике» состоит в подготовке специалистов в области физики квантово-размерных полупроводниковых структур и современных методов технологии их изготовления. Программа подготовлена ведущими учеными ТГУ в области физики полупроводников в сотрудничестве с исследователями Института Физики Полупроводников СОРАН (Новосибирск) и разработчиками ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск) и ОАО СИГМПЛЮС (Москва).

При подготовке магистров программы «Нанотехнологии в электронике» используются:

- материальная база Томского регионального центра коллективного пользования (ckp@mail.tsu.ru), располагающегося в ТГУ;

- материальная база Института Физики Полупроводников СО РАН (Новосибирск),

- материальная база ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск);

- материальная база ОАО «СИГМПЛЮС» (Москва)

- материальная база кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ и лаборатории «Наноэлектроники и нанотехнологий» ТГУ.

Для научно-исследовательской работы обучающиеся имеют доступ к ресурсам Центра обработки данных ТГУ, высокопроизводительному вычислительному кластеру ТГУ «Скиф Cyberia».

^ УЧЕБНЫЙ ПЛАН
М.1 Общенаучный цикл

  Базовая часть

1.1 Философские вопросы естествознания

1.2 Специальный физический практикум «Высокопроизводительные вычисления в физике конденсированного состояния вещества»

1.3 Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации

1.4 Компьютерные технологии в науке и образовании

Вариативная часть

1.5 Физика полупроводниковых наносистем

Курсы по выбору студента

1.6 Дополнительные главы по физике полупроводниковых приборов

1.7 Методы исследования структуры и состава нанообъектов

1.8 Перспективные материалы

1.9 Углеродные наноструктуры

1.10 Дифракционная электронная микроскопия

1.11 Компьютерное моделирование случайных процессов

М.2 Профессиональный цикл

  Базовая (общепрофессиональная) часть

2.1 Современные проблемы физики

2.2 История и методология физики

Вариативная часть

2.3 Основы микро-, нано- и оптоэлектроники

2.4 Физическое материаловедение полупроводников

2.5 Формирование полупроводниковых наноструктур

2.6. Эпитаксия полупроводников

2.7. Оптоэлектронные методы в полупроводниках

Курсы по выбору студента

2.8 Физика неупорядоченных полупроводников

2.9 Кинетические эффекты в низкоразмерных структурах

2.10 Моделирование характеристик HEMT-транзисторов

2.11 Реконструкция поверхности наноструктуры

2.12 Теория групп

2.13 Полупроводниковые оптические излучатели

2.14 Нанотехнологии в электронике

2.15. Оптические свойства наноструктур

М.3 Практика и научно-исследовательская работа

3.1 Научно исследовательская практика

3.2 Педагогическая практика

3.3 Научно-исследовательская работа

М.4 Итоговая государственная аттестация
Трудоустройство выпускников обеспечивается взаимодействием с работодателями и партнерами: Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск); ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск), ОАО «СИГМПЛЮС» (Москва) и другими организациями «Росэлектроники».








Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації