Поиск по базе сайта:
1. Цель создания магистерской программы. Создание магистерской программы «Нанотехнологии в микроэлектронике» icon

1. Цель создания магистерской программы. Создание магистерской программы «Нанотехнологии в микроэлектронике»




Скачати 83.47 Kb.
Назва1. Цель создания магистерской программы. Создание магистерской программы «Нанотехнологии в микроэлектронике»
Дата конвертації15.07.2013
Розмір83.47 Kb.
ТипДокументи

«Нанотехнологии в микроэлектронике»


Направление 011200 - Физика


Руководитель программы: В.Н. Брудный., доктор физ.-мат. наук, профессор


1. Цель создания магистерской программы.

Создание магистерской программы «Нанотехнологии в микроэлектронике» имеет главной целью подготовку высококвалифицированных специалистов – физиков, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых квантово-размерных структур опто-, микро- и наноэлектроники:

- обладающих глубокими знаниями фундаментальных разделов физики и математики, необходимыми для решения возникающих научно-исследовательских и технологических задач в области физики и технологии полупроводниковых квантово-размерных структур;

- способных самостоятельно ставить конкретные задачи научных исследований в области физики и технологии полупроводниковых квантово-размерных структур, решать, обобщать и обрабатывать научные и экспериментальные данные, анализировать их и на этой основе прогнозировать возможные пути развития направлений исследования;

- умеющих работать в современных условиях непрерывно усложняющихся и изменяющихся научно-технических проблем;

- свободно владеющих иностранными языками.


^ 2. Концепция магистерской программы.

Физика и технология полупроводников относится к ключевым разделам физики, определяющим современный научно-технический прогресс. Теоретические и экспериментальные методы, развитые в физике полупроводников, широко используются в исследованиях, выполняемых по приоритетным направлениям науки и техники, таким, как опто-, микро- и наноэлектроника, полупроводниковое материаловедение и приборостроение. Все это делает актуальной подготовку специалистов высшей квалификации по этому направлению.

Физика и технология полупроводников в настоящее время включает в себя многочисленные направления, охватить которые в рамках единой магистерской программы невозможно. При разработке данной программы учтено, какие тематики исследований в области физики и технология полупроводников в наибольшей степени представлены на физическом факультете Томского государственного университета. К таким направлениям относятся: полупроводниковое материаловедение, технология и теория роста и легирования объемных кристаллов и эпитаксиальных пленок, теория электронных и оптических свойств полупроводниковых наноструктур.

В соответствии с этим в рамках данной программы кафедра готовит магистров в области физики полупроводниковых материалов и структур на их основе, включая квантово-размерные структуры опто- и микро- и наноэлектроники. От аналогичных кафедр нас отличает углубленная подготовка в области полупроводникового материаловедения, технологии и теория роста низко-размерных полупроводниковых структур.


^ 3. Обоснование потребности в магистрах данного профиля.

В современном мире существует большая потребность в специалистах, подготовленных к работе в области физики и технологии полупроводниковых квантово-размерных структур опто-, микро- и наноэлектроники. В России налицо увеличение интенсивности научных исследований по этим направлениям, поддержанное усилиями по расширению прежних и созданию новых полупроводниковых производств. Для этого привлекаются как государственные, так и частные ассигнования. Магистры данного профиля востребованы на предприятиях ОАО «Росэлектроника» (в Томске это ОАО «НИИ полупроводниковых приборов»), предприятиях ГК «Росатом», ГК «Роскосмос» и др. Спрос на специалистов, умеющих ставить и квалифицированно решать практические задачи, будет только увеличиваться. Так, уже в 2012 г. в Томске должно начаться строительство крупного завода по производству полупроводниковых светодиодов бытового и промышленного назначения. Оценки показывают, что для обеспечения производства материалов уже в ближайшие 2 – 3 года только этому предприятию потребуется не менее 100 специалистов, способных разработать и реализовать технологии производства полупроводниковых квантово-размерных структур для конкретных типов светодиодов.


^ 4. Условия обучения.

Срок обучения – 2 года (4 семестра). Форма обучения: очная


5. Набор студентов и требования к поступающим в магистратуру.

Прием в магистратуру осуществляется на конкурсной основе по результатам вступительных испытаний на уровне бакалавриата по направлению 011200 «Физика». Количество бюджетных мест7.


^ 6. НИР выпускающей кафедры, являющиеся базовыми для реализации магистерской программы.

Базовыми являются НИР, выполняемые в рамках государственных контрактов и договоров, направленных на разработку физико-химических основ и технологий производства полупроводниковых квантово-размерных структур опто-, микро- и наноэлектроники – фотоприемников на квантовых точках, светодиодов на квантовых ямах, фотоприемников терагерцового диапазона, полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (солнечных батарей) на основе многослойных эпитаксиальных структур. В рамках этих НИР выполняются циклы теоретических и экспериментальных исследований технологии эпитаксиального роста наноструктурных полупроводниковых материалов, их электронных и оптических свойств, устанавливаются взаимосвязи между свойствами получаемых наноструктур и условиями их выращивания.


^ 7. Кадровая, методическая и материально-техническая базы магистерской программы

Профессорско-преподавательский состав

Фамилия, имя, отчество

Научная степень

Должность

Асеев Александр Леонидович

доктор физ.-мат. наук, академик РАН

профессор

Брудный Валентин Натанович

доктор физ.-мат. наук

профессор

Гриняев Сергей Николаевич

доктор физ.-мат. наук

доцент

Ивонин Иван Варфоломеевич

доктор физ.-мат. наук

зав. кафедрой

Пчеляков Олег Петрович

доктор физ.-мат. наук

профессор

Бобровникова Ирина Анатольевна

кандидат физ.-мат. наук

доцент

Новиков Владимир Александрович

кандидат физ.-мат. наук

инженер - электроник

Новиков Вадим Александрович

кандидат физ.-мат. наук

научный сотрудник

Торопов Сергей Евгеньевич

кандидат физ.-мат. наук

доцент

Филимонов Сергей Николаевич

кандидат физ.-мат. наук

доцент

Эрвье Юрий Юрьевич

кандидат физ.-мат. наук

доцент


Возможные места практики.

Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), ОАО «НИИ полупроводниковых приборов», Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск), Сибирский физико-технический институт им. академика В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, ОАО «СИГМ ПЛЮС» (Москва), малые предприятия инновационного пояса ТГУ.


Кафедра и иные структурные подразделения, реализующие программу.

В подготовке магистров по данной программе участвуют кафедра физики полупроводников и филиалы кафедры в ИФП СОРАН (Новосибирск) и в ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (Томск), а также НОЦ «Наноэлектроника» и НОЦ «Физика и электроника сложных полупроводников» ТГУ.


Лаборатории и оборудование

При подготовке магистров используются:

- материальная база кафедры: студенческий компьютерный класс из четырех компьютеров, связанных локальной сетью; компьютерный класс из трех компьютеров для аспирантов. учебно-научная лаборатория сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии; учебные лаборатории для выполнения студенческих лабораторных практикумов по физике полупроводников. На всех компьютерах, используемых на занятиях и для научно- исследовательской работы студентов установлено требуемое лицензионное программное обеспечение;

- материальная база Томского регионального центра коллективного пользования (ckp@mail.tsu.ru), располагающегося в ТГУ;

- технологическая площадка ТГУ по направлению микро- и наноэлектроника;

- материальная база Института физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), ОАО «НИИ полупроводниковых приборов», Института мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск), ОАО «СИГМ ПЛЮС» (Москва).


^ 8. Содержание программы и общая характеристика учебного плана.

Обучение магистров ведется на базе бакалавриата по направлению 011200 «Физика» и направлено на их углубленную подготовку в области полупроводникового материаловедения. Этому способствуют курсы «Физическое материаловедение полупроводников» (108 час.), «Дополнительные главы физического материаловедения полупроводников» (72 час.), «Дополнительные главы теории роста кристаллов» (72 час.), «Дефекты в полупроводниках» (36 час.),

Углубленному пониманию свойств полупроводниковых материалов и процессов, в них происходящих, способствуют курсы «Основы микро-, нано и оптоэлектроники» (108 час.), «Физика полупроводниковых наносистем» (108 час.), «Дополнительные главы по физике полупроводниковых приборов» (72 час.), «Физика неупорядоченных полупроводников» (108 час.), «Перспективные материалы» (108 час.), «Углеродные наноструктуры» (72 час.).

Процессам роста полупроводниковых структур и их свойствам посвящены курсы «Формирование полупроводниковых наноструктур» (72 час.), «Реконструкция поверхности наноструктуры» (108 час.), «Оптические свойства наноструктур» (108 час.), «Кинетические эффекты в низкоразмерных структурах» (36),

Освоению методов исследования свойств полупроводниковых материалов и структур посвящены курсы «Методы исследования структуры и состава нанообъектов» (72 час.), «Дифракционная электронная микроскопия» (72 час.),

Значительное внимание уделяется компьютерному моделированию процессов эпитаксиального роста и характеристик полупроводниковых наноструктур – курсы «Компьютерное моделирование формирования наноструктур» (108 час.), «Моделирование характеристик НЕМТ-транистора» (36),


^ 9. Перспективы научно-исследовательской деятельности в связи с развитием ТГУ и потребностями Томского региона.

Перспективы магистров, подготовленных по программе «Нанотехнологии в электронике» определяются, во-первых, интенсивным развитием приоритетного направления развития Томского государственного университета «Нанотехнологии и материалы» (ПНР-1). Именно в рамках этого ПНР в университете развиваются исследования в области физики и техники полупроводников, микро- и наноэлектроники. Исследования, выполняемые в рамках федеральных и ведомственных целевых программ, требуют привлечения молодых научных сил. На кафедре есть аспирантура и докторантура, специалисты принимаются в научно-образовательные центры ТГУ, в состав которых входит кафедра.

В Томской области перспективы выпускников кафедры связаны с работой на предприятиях, разрабатывающих и выпускающих полупроводниковые материалы, приборы и устройства на их основе. Существенно, что уже в 2012 г. в Томске начнется строительство завода по производству полупроводниковых материалов и светодиодов на их основе для выпуска светильников гражданского и промышленного применения. Поскольку кафедра специализируется в подготовке специалистов в области полупроводникового материаловедения, выпускники, несомненно, будут востребованы на этом предприятии.


^ 10. Перспективы профессиональной деятельности и трудоустройства. Трудоустройство и профессиональная деятельность магистров возможна, во-первых, в организациях и на предприятиях Томской области (ТГУ, ТПУ, ТУСУР, ИМКЭС СО РАН, ОАО «НИИ полупроводниковых приборов», ЗАО «НПФ Микран», ОАО «РИД», ОАО «АТОМ» и др.). Во-вторых, это предприятия и организации Сибирского региона: ИФП СО РАН, ИНХ СО РАН (г. Новосибирск), предприятия ОАО «Росэлектроника», предприятия ГК «Росатом».


Составитель В.Н. Брудный, доктор физ.-мат.наук, профессор каф. физики полупроводников


Декан физического факультета В.М Кузнецов.








Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації