Поиск по базе сайта:
Магистерская программа 510404 Физика полупроводников. Микроэлектроника icon

Магистерская программа 510404 Физика полупроводников. Микроэлектроника




Скачати 28.58 Kb.
НазваМагистерская программа 510404 Физика полупроводников. Микроэлектроника
Дата конвертації15.07.2013
Розмір28.58 Kb.
ТипПрограмма


Магистерская программа 510404 - Физика полупроводников. Микроэлектроника


Физика полупроводников – раздел физики твердого тела, изучающий фундаментальные свойства естественных и искусственных полупроводниковых материалов, в первую очередь, электрические и оптические. При таком изучении широко используются методы теоретической и экспериментальной физики, что невозможно без участия специалистов, в том числе, высшей квалификации. Отсюда следует необходимость их подготовки. Микроэлектроника – раздел физики полупроводников, в рамках которого обеспечивается практическая реализация фундаментальных знаний в форме современных технологий, приборов и устройств, включая и наноэлектронику.


В программу подготовки магистров включены курсы лекций в области твердого тела, физики и оптики полупроводников, физики полупроводниковых приборов, полупроводникового материаловедения. компьютерного моделирования процессов кристаллизации, физики поверхностных явлений, теории роста кристаллов, экспериментальных методов исследования свойств полупроводниковых материалов (структура, состав, электрические и оптические свойства и т.д.).


Реализацию магистерской программы по физике полупроводников и микроэлектронике на физическом факультете ТГУ осуществляют 6 докторов (в том числе, 2 академика РАН) и 6 кандидатов наук, под руководством которых магистранты выполняют научную работу и готовят магистерские диссертации. Кроме того, к подготовке привлекаются сотрудники филиалов кафедры в Институте физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск) и ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» (г. Томск). Все сотрудники, ведущие занятия с магистрантами, активно работают в области физики полупроводников и микроэлектроники, имеют публикации в ведущих российских и зарубежных научных журналах и регулярно участвуют в Российских и Международных конференциях. За время обучения в магистратуре студенты приобретают опыт научной работы, проходят стажировки в крупных отечественных научных центрах, принимают участие в научных конференциях в России и за рубежом. Как правило, студенты, окончившие магистратуру, продолжают обучение в аспирантуре кафедры.


^ Блок вопросов для собеседования


  1. Зонный характер электронного спектра в кристалле. Классификация твердых тел по зонному спектру. Схемы представления зонного спектра. Зонный спектр алмазоподобных полупроводников.

  2. Методы расчета зонного спектра. Модель пустой решетки. Метод слабой связи. Метод сильной связи. Динамика электрона во внешнем медленно меняющемся поле. Метод эффективной массы.

  3. Эффективная масса носителей заряда. Плотность квантовых состояний. Функция распределения Ферми-Дирака.

  4. Элементарная теория электропроводности. Кинетическое уравнение Больцмана для электронов в кристалле.

  5. Неравновесные носители заряда. Уравнение непрерывности. Время жизни. Соотношение Эйнштейна.

  6. Соотношения Крамерса-Кронига. Оптические константы и взаимосвязь между ними.

  7. Виды поглощения. Собственное поглощение. Прямые и непрямые оптические переходы; форма края основного поглощения в прямозонных и непрямозонных полупроводниках.

  8. Виды излучательных процессов. Межзонная рекомбинация. Примесное излучение. Донорно-акцепторные переходы. Спонтанное и вынужденное излучение.

  9. Оже-рекомбинация. Поверхностная рекомбинация.

  10. Энергетическая диаграмма контакта «металл-полупроводник». Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводника и металла. Контактная разность потенциалов.

  11. Характеристики потенциального барьера. Вольт-амперные характеристики идеального p-n перехода. Особенности реальных p-n переходов.

  12. Переходные процессы в p-n переходе. Туннельный диод (принцип действия, вольт-амперная характеристика, анализ эквивалентной схемы.)

  13. Собственные дефекты решетки, энергия образования и миграции, механизмы миграции, равновесие дефектов, заряженные и незаряженные дефекты, компенсация заряда, структуры разрыхления (дефекты Шоттки), смещения (дефекты Френкеля), междоузельные атомы, антиструктурные дефекты, дивакансии.

  14. Кластеры собственных дефектов и химических примесей, образование кластеров, электронная структура кластеров, влияние кластеров на свойства полупроводников



Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації