Поиск по базе сайта:
Програма Предмет: \"напівпровідникова електроніка\" Спеціальність: 070201 \"Радіофізика І електроніка\" Факультет електроніки, форма навчання денна icon

Програма Предмет: "напівпровідникова електроніка" Спеціальність: 070201 "Радіофізика І електроніка" Факультет електроніки, форма навчання денна




НазваПрограма Предмет: "напівпровідникова електроніка" Спеціальність: 070201 "Радіофізика І електроніка" Факультет електроніки, форма навчання денна
Дата конвертації21.05.2013
Розмір69.9 Kb.
ТипПрограма

Робоча навчальна програма




Предмет: “НАПІВПРОВІДНИКОВА ЕЛЕКТРОНІКА”


Спеціальність: 6.070201 – “Радіофізика і електроніка”

Факультет електроніки, форма навчання – денна.

Витяг з навчального плану




Семестр


Кількість ауд. годин

У тому числі

Кількість годин СР

КР

КП

Заліки

Іспити

Л

П.С

ЛР

7

72

36




36

40










18




  1. Анотація

Пропонований курс читається для студентів спеціальності 7.070201 і присвячений викладанню основ фізики напівпровідникової електроніки. На основі цих знань у другій частині курсу викладається фізика функціонування основних напівпровідникових приладів. Базовими курсами до розглядуваного є “Теорія твердого тіла” і “Фізична електроніка”.



  1. ^ Зміст програми

  1. Вступ. Предмет вивчення. Історія розвитку напівпровідникової електроніки, основні віхи. Поліфункціональність приладів напівпровідникової електроніки. Функціональні пристрої напівпровідникової електроніки як елементи інформаційних систем. Сучасний стан і перспективи розвитку напівпровідникової електроніки.

2. Основи зонної теорії твердих тіл. Класифікація твердих тіл за електропровідністю (емпірична). Енергетичні зони, стаціонарні стани та енергетичний спектр носіїв у твердому тілі. Заповнення зон носіями: метали, діелектрики, напівпровідники. Розрахунок концентрації електронного газу в твердому тілі. Властивості електронного газу. Особливості руху електронів у твердому тілі при накладанні зовнішнього електричного поля.

3. Власні і домішкові напівпровідники. Розрахунок рівноважної концентрації електронів і дірок у власному напівпровіднику. Розрахунок рівноважної концентрації електронів і дірок у домішкових напівпровідниках. Поведінка рівня Фермі з температурою.

  1. Нерівноважний стан напівпровідника. Час життя нерівноважних носіїв заряду. Розподіл концентрації нерівноважних носіїв заряду.

5. Основні рівняння, що описують струмопроходження в напівпровідниках. Рівняння неперервності.

  1. Кінетичні явища в напівпровідниках. Електропровідність. Ефект Хола. Магніторезистивний ефект.

  2. Дрейфовий і дифузійний струми в напівпровідниках. Співвідношення Айнштайна. Механізми розсіяння носіїв. Максимальна дрейфова швидкість. “Сплеск” дрейфової швидкості. Балістичний транспорт в напівпровідниках.

8. Електропровідність напівпровідників в сильних електричних напівпровідниках. Ефект Гана. Термоелектронна іонізація Френкеля. Ефект Зінера. Струмові нестійкості в сильних електричних полях. Особливості електропровідності полікристалічних напівпровідників. Електропровідність аморфних напівпровідників. Тензорезистивний ефект у напівпровідниках.

9.Біполярні транзистори. Принцип дії та основні параметри, Статичні характеристики транзистора. Розподіл носіїв та струмів в базі. Ефект Ерлі. Дрейфові транзистори. Гетероструктурні транзистори. Частотні властивості БІП-транзисторів.

10. Напівпровідникові прилади з S-подібною ВАХ. Тиристори. Фототиристори. Умови виникнення від’ємного опору.

11. Польові транзистори (ПТ). ПТ з р-п переходом у ролі затвору. Статичні ВАХ та основні параметри. МДН-транзистори. Польові транзистори Шоткі. Швидкодія польових транзисторів. НВЧ- польові транзистори на двомірному електронному газі.

Фізичні та технологічні обмеження мінімальних розмірів елементів ПТ. Властивості електронного газу в каналі провідності МДН-транзисторів.

12. Джерела та приймачі світлового випромінювання, фоторезистори та фото діоди. Сонячні фотоприймачі.

Світло діоди та напівпровідникові лазери. Фізичні основи роботи та основні параметри. Основи практичного використання.

13. Елементи схемотехніки на основі напівпровідникових приладів. Електронні ключі на БІП- та польових транзисторах. Швидкодія ключа.

14. Цифрові логічні елементи. Діодно-транзисторна логіка. Транзисторно-транзисторна логіка. Емітерно-зв’язана логіка. Логічні елементи на МДН-транзисторах. Тригери (RS, RST, D). Запам’ятовуючі пристрої. Програмовані та репрограмовані ПЗП. Елементи пам’яті ОЗП статичного типу. Елементи пам’яті динамічного типу.

15. Пристрої на ефекті Гана.

16. Основи наноелектроніки. Спінотроніка.


3. Список лабораторних робіт

  1. Вступне заняття (2 год.).

  2. Дослідження ефекту Хола в напівпровідниках. Визначення концентрації та рухливості носіїв заряду. Визначення ширини забороненої зони (4 год.).

  3. Дослідження магнеторезистивного ефекту в напівпровідниках (2 год.).

  4. Дослідження діоду Шоткі. Визначення контактної різниці потенціалів між напівпровідником і металом (2 год.).

  5. Дослідження напівпровідникових діодів. Моделювання вольт-амперних характеристик діодів ( 4 год.).

  6. Вивчення характеристик і параметрів терморезисторів (2 год.).

  7. Дослідження механізмів провідності в твердих тілах. Вивчення залежності електропровідності напівпровідників від напруженості електричного поля. Дослідження напівпровідникових варисторів (2 год.).

  8. Дослідження БІП-транзисторів. Розрахунок основних параметрів (4 год.).

  9. Дослідження властивостей тиристорних структур ( 2 год.).

  10. Дослідження характеристик і параметрів польових транзисторів 4 год.).

  11. Вивчення тунельного діода. Розрахунок генераторів на основі тунельних діодів (4 год.).


^ 4. Основна і додаткова література

№п/п

Автори

Назва


Рік, мова видан., видав-ництво

Наявн.

у бібл.

фонд.

1

Дружинін А.О.

Твердотільна електроніка: фізичні основи і властивості

напівпровідникових приладів

2001,укр., Львів,в-во Львів. політех.




2

Пасынков В.В.

Полупроводниковые приборы

1987, рос.,М.:

Высш. школа




3

Павлов П.В.,

Хохлов А.Ф.

Физика твердого тела

2000, рос., М.:

Высш. школа,

494 с.




4

Викулин И.М.

Стафеев В.И.

Физика полупроводниковых

приборов

1990, рос.,М.:

Радио и связь




5

Бузанева Е.В.

Микростуктуры интегральной электроники

1990, рос. М.:

Радио и связь, 304 с.




6

Под ред. Л.А.

Коледова

Микроэлектроника. Кн.1.

Физические основы функцио нирования изделий микро-электроники

1987, рос., М.:

Высш. школа




7

Под общ. ред.

О.В.Снитко

Физические основы полупроводниковой электроники

1990, рос., М.:

Радио и связь




8

Фэрри Д.

Эйкерс Л.

Электроника ультрабольших интегральных систем

1991, рос.. М.:

Мир




9

Левитский С. Кошевая С.В.

Вакуумная и твердотельная электроника

1986, рос., М.:

Высш. школа




10

Степаненко И.П.

Основы микроэлектроники

1980, рос., М.:

Сов. радио




11

Пауэр Дж.

Оптические системмы связи

1989, рос.,М.:

Радио и связь




12

Маллер Р.

Кейминс Т.

Элементы интегральных схем

1989. рос.. М.:

Мир




13

Епифанов Г.И.

Физические основы микроэлектроники

1971, рос.,М:,

Сов. радио






Програму уклав доцент Коман Б.П.




Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації