Поиск по базе сайта:
Програма предмет: моделювання фізичних процесів та технологій спеціальність 070203 \"Прикладна фізика\" факультет електроніки, форма навчання денна icon

Програма предмет: моделювання фізичних процесів та технологій спеціальність 070203 "Прикладна фізика" факультет електроніки, форма навчання денна




Скачати 44.22 Kb.
НазваПрограма предмет: моделювання фізичних процесів та технологій спеціальність 070203 "Прикладна фізика" факультет електроніки, форма навчання денна
Дата конвертації21.05.2013
Розмір44.22 Kb.
ТипПрограма


РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА


Предмет: МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ ТА ТЕХНОЛОГІЙ

спеціальність 6.070203 - "Прикладна фізика"

факультет електроніки, форма навчання – денна


Витяг з навчального плану

Семестр

К-ть аудит.

годин

У т.ч.

К-сть годин

СР

КР

КС

Заліки

Іспити

Л

П,С

ЛР

8

32

16

-

16

16

-

3

6

-




  1. АНОТАЦІЯ


Мета курсу – ознайомити студентів з багаторівневим підходом до моделювання інтегральних мікросхем, сформувати практичні навики моделювання інтегральних мікросхем та напівпровідникових приладів від технології їх створення до функціонування приладів і схем, з описом відповідних моделей, алгоритмів та програмного забезпечення.

Курс спирається на дисципліни „Математичний аналіз”, „Вища алгебра”, „Диференціальні рівняння”, „Електрика і магнетизм”, „Програмування та математичне моделювання”, „Чисельні методи в фізиці”.


^ 2.ЗМІСТ ПРОГРАМИ


Кремнієва комп’ютерна технологія. Перспективи підвищення ступені інтеграції та швидкодії кремнієвих мікросхем. Проблеми багаторівневого і особливості фізико технологічного моделювання кремнієвих інтегральних мікросхем. Взаємодія рівнів моделювання.

Моделі технологічних процесів виготовлення інтегральних мікросхем. Етапи технологічних процесів.

Фізичні основи та моделі іонного легування. Моделювання іонного легування в багатошарових структурах методом підбору доз. Дифузія бору, миш’яка, сурми та фосфору. Програмна реалізація одномірного та двомірного моделювання технологічних процесів з рухомою та нерухомою границею при розгляді граничних процесів.

Моделі термічного окислення. Механізм росту та кінетика окислення. Методи окислення та властивості оксидних плівок. Дефекти, що виникають при окисленні.

Чисельне моделювання процесу епітаксійного нарощування. Оцінювання параметрів епітаксій них структур. Моделювання процесу оптичної літографії, процесів травлення та осадження.

Фізико-топологічні моделі напівпровідникових структур. Основне рівняння напівпровідника. Дискретизація рівнянь неперервності, різницеві апроксимації рівнянь густини струму. Схеми дискретизації фундаментальної системи рівнянь напівпровідникових структур. Нормування ФСУ. Моделі процесів генерації-рекомбінації. Граничні умови в чисельному моделюванні напівпровідникових структур. Особливості фізичних явищ в субмікронних напівпровідниках, квазігідродинамічне наближення, дифузійно-дрейфове наближення. Програми стаціонарного та нестаціонарного моделювання напівпровідникових структур.

Вплив сильного легування на енергетичну структуру кремнію та його електрофізичні параметри. Моделі технологічних та електрофізичних процесів в полікремнії.

Класифікація електричних моделей інтегральних приладних структур. Узагальнені вирази для струмів і коефіцієнта передачі струму інтегральних біполярних транзисторів (БТ). Інтегральне співвідношення управління зарядом для синтезу електричних моделей БТ.

Формальні і адекватні макромоделі швидкодіючих логічних елементів і фрагментів інтегральних мікросхем. Логічно-часове моделювання інтегральних мікросхем.

Об’єднане логічно-часове, схемотехнічне і фізико-технологічне моделювання інтегральних мікросхем.

Квантовий комп’ютер на ядерних спінах в кремнії. Взаємодія кубітів та двокубітні операції. Квантовий комп’ютер на електронному спіновому резонансі в структурах Ge-Si.

Детектування спінового резонансу транзисторами.


^ ЛАБОРАТОРНІ ЗАНЯТТЯ


  1. Розрахунок концентрації носіїв заряду в напівпровідниках.

  2. Моделювання процесу іонного легування.

  3. Моделювання дифузійних процесів.

  4. Моделювання процесу епітаксії та термічного окислення.

  5. Дискретизація фізико-топологічних моделей та ітераційні методи їх розв’язку.

  6. Моделі електрофізичних параметрів для фізико-топологічного розрахунку напівпровідникових структур. Стаціонарне та нестаціонарне двомірне фізико-топологічне моделювання напівпровідникових структур.

  7. Розрахунок струмів та коефіцієнтів передачі струмів інтегральних біполярних транзисторів.

  8. Моделювання взаємодії кубітів з електромагнітним випромінюванням.




  1. ^ ОСНОВНА ТА ДОДАТКОВА ЛІТЕРАТУРА

  1. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. –М.:Высш.шк.,1989.

  2. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. - Рига: Зинатне,1986.

  3. Баталов Б.В. Егоров Ю.Б., Русаков С.Г. Основы математического моделирования больших интегральных схем на ЭВМ. –М.: Радио и связь, 1982.

  4. К.Жаблон, Ж.-К.Симон Приминение ЭВМ для численного моделирования в физике. М.:Наука, 1983.

  5. Броудай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. –М.:Мир,1985.

  6. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.:Наука, 1979.

  7. Самарский А.А., Николаев Е.С. Методы решения сеточных уравнений. М.:Наука, 1978.

  8. Самарский А.А. Теория разностных схем. М.:Наука, 1983.

  9. Валиев К.А., Раков А.В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.:Радио и связь, 1984.

  10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.:Мир, 1984.

  11. Неизвестный И.Г. Квантовый компьютер и его полупроводниковая база. Журнал «Физика и студенты», 2003.

  12. Демків Л.С. Методичні рекомендації до застосування програми Мaple під час моделювання фізичних процесів. Видавничий центр Львівського національного університету імені Івана Франка, 2004.

  13. Бабич О.Й. Моделювання процесу іонного легування. Видавничий центр Львівського національного університету імені Івана Франка, 2002.

  14. Бабич О.Й. Моделювання процесу дифузії. Видавничий центр Львівського національного університету імені Івана Франка, 2002.


Програму склала

доцент Демків Л.С.



Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації