Поиск по базе сайта:
Програма Предмет: \"фізика напівпровідникових приладів\" Спеціальність: 070200 \"Прикладна фізика\" Спеціалізація: \"Фізика напівпровідників І діелектриків\" Факультет електроніки, форма навчання денна icon

Програма Предмет: "фізика напівпровідникових приладів" Спеціальність: 070200 "Прикладна фізика" Спеціалізація: "Фізика напівпровідників І діелектриків" Факультет електроніки, форма навчання денна




Скачати 78.94 Kb.
НазваПрограма Предмет: "фізика напівпровідникових приладів" Спеціальність: 070200 "Прикладна фізика" Спеціалізація: "Фізика напівпровідників І діелектриків" Факультет електроніки, форма навчання денна
Дата конвертації21.05.2013
Розмір78.94 Kb.
ТипПрограма

Робоча навчальна програма




Предмет: “ФІЗИКА НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ”


Спеціальність: 6.070200 - “Прикладна фізика”

Спеціалізація: “Фізика напівпровідників і діелектриків”

Факультет електроніки, форма навчання – денна.

Витяг з навчального плану




Семестр



Кількість ауд.годин

У тому числі

Кількість годин СР

КР

КП

Заліки

Іспити

Л

П.С

ЛР

7

64

32




32

30







2







  1. Анотація

Спецкурс “Фізика напівпровідникових приладів” присвячений розгляду фізичних основ функціонування електронних приладів на основі напівпровідникових кристалів і напівпровідникових структур. Базовими курсами є: “Фізика напівпровідників”, “Електронні процеси переносу в напівпровідниках”, “Напівпровідникові матеріали”.

У спецкурсі вивчається фізика роботи як традиційних напівпровідникових приладів (діоди, БІП-транзистори та ін.), так і нових типів приладів і приладних ефектів, здатних забезпечити зростаючі вимоги сучасної схемотехніки до швидкодії та об’єму записуваної інформації. Значна увага акцентується на специфіці роботи мікроелектронних систем, впливі ефекту масштабування на параметри активних елементів. Аналізуються електронні процеси в приладних структурах.


  1. ^ Зміст програми
1. Фізика неоднорідних напівпровідників і структур. Неоднорідний напівпровідник одного типу електропровідності. Неоднорідний напівпровідник із зміною хімічного складу (варізонний напівпровідник).

2. Контакт двох напівпровідників різного типу електропровідності. Електронно-дірковий перехід. Контактна різниця потенціалів. Ширина р-п переходу. Зарядна ємність. Інжекція та екстракція неосновних носіїв заряду. ВАХ р-п переходу. Дифузійна ємність. Пробій р-п переходу. Еквівалентна схема р-п переходу для малого сигналу. Перехідні процеси в р-п переходах.

3. Контакт двох напівпровідників одного типу електропровідності (п-п+, р-р+). Невипрямляючі контакти. Контакт двох напівпровідників з різною шириною забороненої зони ( гетероперехід ). Ізотипні та гетеротипні переходи. Контакт типу р- і п- . Контакт метал-напівпровідник. Контакт типу Шоткі. Поверхневі явища в напівпровідниках. Контакт метал-діелектрик-напівпровідник. Зонна діаграма контакту Si-SiO2-Al. Контакт кристалічний напівпровідник-аморфний напівпровідник. Контакт напівпровідник-надпровідник.

4. Напівпровідникові діоди. Випрямляючі діоди. Стабілітрони. Імпульсні, ВЧ та НВЧ діоди. Діоди з нагромадженням заряду. Діоди Шоткі. Варікапи й параметричні діоди. Варистори. Шуми в напівпровідникових діодах. НВЧ діоди.

5. Біполярні транзистори. Гомоструктурні БІП-транзистори. Принцип дії й основні параметри. Статичні характеристики транзистора. Розподіл носіїв у базі. Ефект Ерлі. Дрейфовий транзистор. Гетероструктурні транзистори. Лавинний транзистор. Модуляційний транзистор.

6. Чотиришарові р-п-р-п структури. Тиристори. Фототиристори. Умови виникнення від’ємного опору. Структури з S-подібною ВАХ.

7. Польові транзистори. Гомоструктурні транзистори. Польові транзистори з р-п переходом у ролі затвору. МДН-транзистори з індукованим і вбудованим каналом. Режим інверсії. Система Si-SiO2-Al. Природа додатного заряду в підзатворному діелектрику. Польові транзистори з тунельно-прозорим діелектриком. Гетероструктурні польові транзистори. Польові транзистори з бар’єром Шоткі в ролі затвора. НВЧ польові транзистори на двомірному електронному газі. Польові транзистори з резонансним тунелюванням. Параметри МДН-транзисторів. Рівняння вольт-амперної характеристики. Час затримки сигналу і максимальна частота генерації польових транзисторів. Фізичні та технологічні обмеження мінімальних розмірів елементів польових транзисторів сучасної мікроелектроніки. Властивості електронного газу в каналі провідності МДН-транзисторів. Інверсні шари. Квантові ефекти у двомірних ( інверсійних ) шарах МДН-транзисторів.

8. Транзистори на гарячих електронах. Транзистори з тунельним бар’єром. Транзистори з переносом заряду в просторі.

9. Транзистори на квантових ефектах. Транзистори з резонансним тунелюванням. ЩЕТ.

10. Джерела та фотоприймачі світлового випромінювання, Фоторезистори та фотодіоди. Сонячні фотоприймачі. Світлодіоди та напівпровідникові лазери, Фізичні основи роботи та основні параметри. Основи практичного використання.

11. Акустоелектронні прилади. Прилади з акустичним переносом. Датчики фізичних величин на основі напівпровідникових структур.

12. Транзистори Шеннона. Гарячоелектронні гетероепітаксіальні транзистори. Гетероепітаксіальні транзистори з тунельно-резонансними структурами. Монолітні гетероепітаксіальні транзистори з металічною базою. ГЕТ з надпровідною базою.

13. Основи елементної бази електроніки на основі наноструктур.


  1. Список лабораторних робіт

  1. Вступне заняття ( 2 год.).

  2. Дослідження напівпровідникових діодів. Моделювання вольт-амперних характеристик діодів ( 4 год.).

  3. Вивчення характеристик і параметрів терморезисторів ( 2 год.).

  4. Визначення коефіцієнта не лінійності напівпровідникових варисторів у залежності від температури ( 2 год.).

  5. Дослідження БІП-транзисторів. Розрахунок основних параметрів ( 4 год.).

  6. Дослідження властивостей тиристорних структур ( 4 год.).

  7. Дослідження характеристик і параметрів польових транзисторів ( 4 год.).

  8. Вивчення тунельного діода. Розрахунок генераторів на основі тунельних діодів ( 4 год.).

  9. Вивчення методики моделювання радіаційних впливів на МДН-прилади ( 4 год.).

  10. Заключне заняття ( 2 год.).

  1. Основна і додаткова література

№п/п

Автори

Назва


Рік, мова видан., видав-ництво

Наявн.

у бібл.

фонд.

1

Зи С.

Физика полупроводниковых приборов

1984, рос.,

(Пер.с англ.)




2

Пасынков В.В.

Полупроводниковые приборы

1987, рос.,М.:

Высшая школа




3

Викулин И.М.

Стафеев В.И.

Физика полупроводниковых

приборов

1990, рос.,М.:

Радио и связь




4

Под ред. Л.А.

Коледова

Микроэлектроника. Кн.1.

Физические основы функцио нирования изделий микро-электроники

1987, рос., М.:

Высшая школа




5

Ржевкин К.С.

Физические принципы действия полупров. приборов

1986, рос., М.:

Висшая школа




6

Тугов Н.М.

(Под ред. В.А.

Лабунцова)
^

Полупроводниковые приборы


1990, рос., М.:

Энергоатомиздат




7

Ферри Д.

Ейкерс Л.

Электроника ультрабольших интегральных систем

1991, рос.. М.:

Мир




8

Левитский С. Кошевая С.В.

Вакуумная и твердотельная электроника

1986, рос., М.:

Высш. школа




9

Степаненко И.П.

Основы микроэлектроники

1980, рос., М.:

Сов. радио




10

Пауэр Дж.

Оптические системы связи

1989, рос.,М.:

Радио и связь




11

Шур М.

Современные приборы на арсениде галлия

1991. рос., М.:

Мир




12

Маллер Р.

Кейминс Т.

Элементы интегральных схем

1989. рос.. М.:

Мир




13

Федотов Я.А.

Основы физики полупроводник. приборов

1970, рос., М.:

Сов. радио




14

Tuagl M.S.

Introduction to semiconductor materials and devices

1991, англ.,

Нью-Йорк




15

Дружинін А.О.

Твердотільна електроніка: фізичні основи і властивості

напівпровідникових приладів

2001,укр., Львів,в-во Львів. політех.




16

Roulston D.J.

An introduction to the physics of semiconducnion devices

1999, англ.,

Oxford





Програму склав доцент Коман Б.П.




Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації