Поиск по базе сайта:
Програма предмет Фізичні основи мікро- та нанотехнологій (Р-42) icon

Програма предмет Фізичні основи мікро- та нанотехнологій (Р-42)




НазваПрограма предмет Фізичні основи мікро- та нанотехнологій (Р-42)
Дата конвертації21.05.2013
Розмір32.3 Kb.
ТипПрограма

РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА


Предмет Фізичні основи мікро- та нанотехнологій (Р-42)

Спеціальність Радіофізика і електроніка № 7.070201

Факультет електроніки форма навчання денна


Виписка з навчального плану


№ семестра

К-ть ауд. годин

В т. числі

К-ть годин СР

КР

КП

Заліки

Іспити

Л

П.С.

ЛР

8

64

32



32

32





+

––

Всього






























АНОТАЦІЯ



Розглянуто квантово-розмірні ефекти при переході від мікроелектронних до наноелектронних об’єктів. Представлено основні досягнення нанонауки та прикладних її застосувань. Сформульовано перспективні шляхи нанофізики та наноматеріалознавства, зокрема, створення MEMS та NEMS, молекулярних квантових комп’ютерів та ін.
^

ЗМІСТ ПРОГРАМИ



Фізичні основи мікроелектронних технологій. Епітаксія, легування, окислення, фото- (електроно-, рентгено-) літографічні процеси. Типові технологічні процеси створення біполярних, уніполярних та суміщених інтегральних мікросхем та основні методи бар’єрної та діелектричгої ізоляції окремих напівпровідникових приладів.

Фізичні, технологічні та економічні обчислення в тенденції до мікромінітюаризації елементів ультравеликих інтегральних мікросхем (УВІС). Розмірні ефекти та переходи від мікроелектронних до нанотехнологій. Фізика квантоворозмірних ефектів. Квантовий ефект Холла.

Осциляційна залежність питомого опору тонких плівок від товщини. Тунелювання електронів як прямий доказ існування рівнів розмірного квантування. Унікальність фізичних законів, що керують матерією на нанорівні.

Мезосвіт як проміжна фаза між макросвітом та окремими атомами. Кремнієва наноелектроніка. Проходження струму через квантово-точкові контакти. Кулонівські острівці як основа для створення одноелектронного транзистора.

Моноелектроніка. Експерименти Фултона і Долана. Органічні молекули в якості нанотранзисторів. Проблеми ультранизької потужності наносистем та створення напівпровідникових нанодротин. Створення електронних наноелементів – транзисторів, реле, логічних елементів, нанотрубок, матриць з нанодротин. Синтез напівпровідникових одномірних структур.

Нові наноматеріали – поруватий кремній,аерогелі, поруватий алюміній, поруваті оксиди.

Нано- та мікроелектромеханічні системи і їх перспективи (MEMS та (NEMS). Молекулярні квантові комп’ютери на рідинних молекулах. Квантова криптографія.


^ СПИСОК ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ


  1. Фотоелектрохімічний метод синтезу нанопоруватого кремнію

  2. Світловипромінювальні властивості кремнієвих наноструктур.

  3. Фототермостимульована деполяризація поруватого кремнію.

  4. Числове моделювання процесів легування гетероструктур поруватого кремнію.

  5. Рентгеноструктурні дослідження поруватого кремнію.

  6. Моделювання імпульсного теплопереносу в гетероструктурах ПК – кремнієва підкладка.

  7. Оксидування поруватого кремнію та його вплив на фотолюмінесценцію.

ЛІТЕРАТУРА

  1. Журнал “Світ науки”, 2001, №5 (11).

  2. Журнал “Світ фізики”, 2002, №5 (17).

  3. Журнал “Світ фізики”, 2003, №3 (23).

  4. Успехи физических наук, 1998, т.168, №3, с. 323-358.

  5. Успехи физических наук, 2002, т.172, №9, с. 1102-1109.

  6. Вісник НАН України, 1993, №1, с.12-17.

  7. М. Ратнер, Д.Ратнер. Нанотехнология. Простое объяснение гениальной идеи. М: СПБ. –Київ, «Вища школа»,2004, -234с.


Програму склав доцент Монастирський Л.С.




Схожі:




База даних захищена авторським правом ©lib.exdat.com
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації